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    210章 技术难关！ (第2/3页)

读写的次品，良品率极低，主要原因虽然有目前的0.18微米实验制程不成熟的原因，但再怎么不成熟，良品率也不能这么低。刚才我看了一下照片，真正搞出次品的原因是因为我们的埋入晶圆的栅极扩散层形态异常。”

    会议室里徐工也是松了口气，这次负责攻关0.18微米制程工艺的负责人是他，他也是担心自己在技术路线上出现了重大问题。

    “大家看这张电镜探伤图，左边是这次的良品，右边是这次的不合格品，左边正常形态下的埋入层扩散结构和右边的区别是很明显的，我知道大家现在一定在想，为什么会出现右边这些次品？问题出在哪呢？”

    会议室里面很多技术人员也是踊跃发言。

    “刚才这位黄海波判断的不错，这个情况确实跟我们扩散层离子注入工序有问题。”

    这位被点到名的技术人员眼中露出惊喜的神色。

    “那么我问你，这道工序到底出现了什么问题？”杨杰追问道。

    这个技术人员却是回答不上来。

    “杨少，难道是注入机的真空度问题？”徐少秋问道。

    “不错，就是注入机的真空度不够，从而引起埋入扩散层的氧化膜厚度中间薄周边厚，薄的部分隔离差，造成中间漏电。”

    台下工程师们有的表情恍然大悟，有的则是兴奋地点头，表示不出所料，杨杰的判断和他们一样。

    杨杰继续道：“我认为失败也是好事，给了我们总结的经验嘛，要是不出事，我倒觉不好，那样一来大家反而什么都学不到。”

    他看着席海清说道：“席总，你马上把瑞星科技公司目前正在研发中的新型离子注入机的改良版真空部件拿过来对华越电子公司的设备进行升级改装。从他们给出的新设备真空参数来看，改装升级以后应该就能马上解决问题，过几天第二批工程流片出来以后，大家对着电镜图片就能看出区别了。”

    “是，杨少，我马上安排。”

    在座的工程师们有的心里还是悬着，担心这次改装升级要是依然解决不了问题可怎么办呢？

    杨杰继续按动鼠标，把投影仪上的图片换了一张，继续讲解道：“这张图很经典啊，这是栅邬化硅附着不良的典型特征，是多晶硅生长工艺的问题，只要改进栅邬化硅生长前的清洗工艺，从而消除附着不良的现象就可以了。”

    底下几位负责硅晶片的工程师听到这个也是赶紧记下杨杰所说的改进方案。

    杨杰继续给大家讲解今后制程工艺需要改进的地方和具体方法，大家听得津津有味，飞快地记着

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