返回 135章 第三代闪存技术!  大国芯之重生九零 首页

上一章 目录 下一章

『章节错误,点此举报』

天才一秒记住本站地址:[爱笔楼]http://m.ibiquzw.org/最快更新!无广告!

最新网址:m.ibiquzw.org
    135章 第三代闪存技术! (第1/1页)

    在会议室里面,周晓东那是直接上手开始在白板上面开始画出了这种第三代TLC存储颗粒的内部架构电路图。

    “为了提高闪存芯片的容量,我设计的这个闪存架构里面字线对应着三个读写单元,我们将电压分成八份,可以表示000001010011100101110111八种状态,最小的存储单元可以表示3个比特。”

    在座的众多技术骨干都是技术经验丰富的芯片设计研发人员,在周晓东画出架构电路图后很快便明白了周晓东这种设计概念。

    其实浮栅晶体管这种最基本的存储单元发展到现在结构和材料并没
    《大国芯之重生九零》135章 第三代闪存技术!

    正在手打中,请稍等片刻,内容更新后,请重新刷新页面,即可获取最新更新!

    《大国芯之重生九零》爱笔楼全文字更新,牢记网址:m.ibiquzw.org
最新网址:m.ibiquzw.org

『加入书签,方便阅读』

上一章 目录 下一章